최시영 사장은 16일 세계 3대 반도체학회 포럼인 ‘VLSI 심포지엄 2021’에서 “어떤 도전에도 대응할 준비가 돼있다”며 이같이 밝혔다.
최시영 사장은 이날 ‘팬데믹 시대, 새로운 파운드리의 답을 제시하다’를 주제로 한 기조연설에서 ‘MBCFET(Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor) 기술’에 대해 설명했다.
MBCFET은 FinFET기술의 뒤를 잇는 차세대 반도체 트랜지스터 구조다. MBCFET 기술은 기존 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA(Gate-All-Around) 구조를 한층 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는(쌓는) 방식이다. 윗면·앞면·뒷면 등 총 3면을 트랜지스터의 게이트로 쓰는 핀펫 이후 개발돼 게이트의 아랫면까지 모두 쓰는 4차원 방식의 기술인 GAA에서 한 발 더 앞서 나간 것이다.
삼성전자는 내년 3나노미터(nm·10억분의 1미터(m)) 이하 공정에서 MBCFET를 활용할 계획이다. 이 기술은 전압의 저항을 효과적으로 줄이면서 설계 유연성이 우수해 전력차단 능력도 뛰어난 것으로 알려졌다. 글로벌 반도체업계에서 초미세 공정 경쟁이 치열한 가운데 삼성 만의 독자적인 기술력을 바탕으로 칩 면적과 소비전력, 속도 등을 개선시키겠다는 것이다.
VLSI 심포지엄은 전 세계 3대 반도체 학회(VLSI·IEDM·ISSCC)의 포럼 중 하나다. 삼성전자 파운드리사업부의 임원이 3대 학회에서 기조연설에 나서는 것은 2018년 IEDM학회에서 정은승 전 파운드리사업부 사장이 기조연설 한 이후 약 3년 만이다. 매해 6월 미국 하와이와 일본 교토에서 번갈아가며 심포지엄을 개최하고 있다. 전 세계 산업·학계 전문가, 엔지니어, 과학자 등이 모여 최첨단 반도체 소자 및 회로 기술과 관련한 연구 성과를 발표하고 논의하는 자리로 올해다. 올해는 코로나19 여파로 지난 13일을 시작으로 19까지 온라인으로 개최된다.
차세대 파운드리 기술 주요 논문도 공개
한편 최 사장에 이어 옴카람 나라마수 어플라이드 머티리얼즈 수석 부사장, 마츠오카 사토시 리켄 전산과학센터장 등도 발표자로 나선다. 나라마수 수석 부사장은 ‘반도체 제조의 소재부터 시스템까지, 그리고 그 너머’를, 마츠오카 사토시 센터장의 ‘최초의 엑사급 슈퍼컴퓨터와 그에 사용된 혁신적인 ARM CPU(중앙처리장치)’를 주제로 발표를 진행할 예정이다.