삼성·ASML '1조 합작' R&D 센터 韓에 만든다

[이데일리 이준기 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 최대 반도체 장비 기업 중 하나인 네덜란드 ASML과 협력을 강화한다. 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문에 이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹이 회장이 동행한 가운데 양사는 각각 ASML과 협력 양해각서(MOU)를 맺은 것이다. 초미세 회로 구현에 반드시 필요한 ASML의 극자외선(EUV) 장비 쟁탈전에서도 한 걸음 더 우위에 설 것으로 기대된다.

네덜란드를 국빈 방문한 윤석열 대통령과 빌럼-알렉산더르 네덜란드 국왕이 12일(현지시간) 벨트호벤 소재 ASML 본사에서 열린 한-네덜란드 첨단반도체 협력 협약식을 마친 뒤 기념촬영을 하고 있다. 왼쪽부터 최태원 SK그룹 회장, 윤 대통령, 빌럼-알렉산더르 네덜란드 국왕, 이재용 삼성전자 회장, 피터 베닝크 ASML 최고경영자. (사진=연합뉴스)

업계 및 대통령실에 따르면 삼성전자와 ASML은 12일(현지시간) 네덜란드 남동부 벨트호벤에 있는 ASML 본사에서 차세대 반도체 제조 기술 연구·개발(R&D) 센터 설립 MOU를 체결했다. 이에 따라 양사는 내년부터 공동으로 1조원을 투자해 국내 차세대 반도체 제조기술 R&D 센터를 설립 운영한다. 이 R&D 센터는 차세대 EUV를 기반으로 초미세 제조 공정을 공동 개발하게 된다고 대통령실은 설명했다.

글로벌 반도체 업계에서 ASML은 ‘슈퍼 을(乙)’로 통한다. 독점 생산하는 EUV 장비가 1대당 최소 2000억원에 달하는 고가인데다 생산 가능 수량이 1년에 약 40대뿐이라 확보가 쉽지 않기 때문이다. 주문부터 도착까지 최소 1년 이상 걸린다. 더구나 ASML도 글로벌 공급망 문제가 불거지면서 부품 부족으로 장비 생산에 어려움을 겪고 있는 상황이다.

무엇보다 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 1위인 대만 TSMC의 아성을 무너뜨리려면 삼성전자로선 EUV 장비 확보를 최대 과제 중 하나로 놓을 수밖에 없다. 이재용 회장이 2020년 10월에 이어 지난해 6월에도 직접 ASML 본사를 찾아 피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO) 등 임직원을 회동하는 등 공을 들이는 이유다. 이와 관련, 업계 관계자는 “ASML이 내년 말 차세대 장비인 하이 NA EUV 장비 ‘트윈스캔 EXE:5200’을 출시할 예정”이라며 “파운드리 업계에서 신형 EUV 장비 확보 경쟁이 더욱 치열해질 전망”이라고 봤다.

삼성전자는 지난해 세계 최초로 3nm(나노미터·10억분의 1m)에 이어 2025년 2nm, 2027년 1.4nm 공정 칩을 생산한다는 계획이다. 경쟁사인 TSMC의 경우 2025년 2nm, 파운드리 시장에 재진출을 선언한 인텔도 2024년 20A(2나노급) 공정 생산을 목표로 하고 있다.

대통령실 관계자는 “ASML이 반도체 제조기업과 해외에 최초로 설립하는 R&D 센터로서 상징적 의미가 매우 크다”며 “우리 정부는 설치부터 운영까지 전폭적으로 지원할 계획”이라고 했다.

한편 SK하이닉스와 ASML은 이날 EUV용 수소가스 재활용 기술 공동개발 MOU를 맺었다. EUV 장비 내부의 광원 흡수 방지용 수소가스를 소각하지 않고 재활용하는 기술을 공동 개발하겠다는 것이다. 대통령실 관계자는 “재활용 기술을 통해 EUV 1대당 전력 사용량을 20% 감축하고 연간 165억원의 비용 절감 효과가 기대된다”고 설명했다.