DB하이텍, 5G향 RF 사업 본격 확대…130·110나노 기반 공정 개발

[이데일리 신중섭 기자] DB하이텍(000990)은 130·110nm(나노미터·10억분의 1m)기술을 기반으로 RF SOI (Silicon-on-Insulator)와 RF HRS (High Resistivity Substrate) 공정을 확보, RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 IT기기 간 송·수신을 담당하는 제품으로 무선 통신에 필수적이다. 스마트폰과 사물인터넷(IoT) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다. 보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 각각의 부품이 한 데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.

RF 프론트엔드의 중요성은 점점 더 높아지고 있다. 무선 통신 기술이 5G로 발전하면서 고주파, 고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 커지고 있어서다. RF프론트엔드 시장은 2019년 124억 달러 수준에서 2025년 217억 달러 수준까지 가파르게 성장할 것으로 예상된다.

DB하이텍은 RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서도 스위치와 저잡음증폭기(LNA) 제품에 주력하고 있다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 켜고 끄는 역할을 하고, LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 역할을 하는 제품으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심 부품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다. 특히 130nm 기술을 기반으로 한 ‘RF SOI’ 공정의 경우, 스위치의 FOM(Figure of Merit)이 84fs, BV(Breakdown Voltage)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유하고 있다. LNA는 120GHz Cut-off frequency (Ft)까지 지원 가능하며, 올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

110nm 기술을 기반으로 한 RF HRS 공정은 우수한 가격 경쟁력을 가지고 있다. 스위치의 FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이며 100GHz Cut-off frequency 성능을 가지는 LNA 소자를 보유하고 있다. 올해 상반기 안으로 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 개발 중이다.

DB하이텍은 “팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다”며 “특히 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 운영 중”이라고 밝혔다.