파운드리 격차 좁혀진 삼성·TSMC…3나노 개발이 명운 가른다

TSMC- 삼성 점유율차, 37.1%→35.6%로 1.5p↓
TSMC 3나노 시험생산 연기…삼성에 유리할까
삼성 "3나노 GAA 기술 최초 적용할 것" 주목
  • 등록 2021-09-02 오후 5:30:00

    수정 2021-09-02 오후 9:24:37

[이데일리 배진솔 기자] 올해 2분기 전 세계 파운드리 시장에서 TSMC와 삼성전자의 점유율 격차가 소폭 줄었다. 그동안 상승세만 보였던 TSMC 시장점유율이 다소 꺾인 것이다. TSMC와 삼성전자가 양자 대결 구도를 벌이고 있는 차세대 선단공정 기술인 3나노 기술 선점이 시장점유율 차를 좁히는 관건이 될 것이라는 분석이 나온다.

상위 10개 파운드리 기업 점유율 (자료=트렌드포스 캡쳐)
TSMC-삼성전자, 점유율 차 1.5%포인트 소폭 감소

2일 대만의 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 글로벌 파운드리 업계 1위 기업인 대만의 TSMC의 올 2분기 점유율은 52.9%로 1분기(54.5%)보다 1.6%포인트 감소했다. 트렌드포스는 “올해 4월과 5월 각각 발생한 정전 사고로 대만 타이난 과학단지 내 TSMC 14공장 가동에 차질이 생기면서 매출에 악영향을 줬다”고 분석했다.

같은 기간 삼성전자의 점유율은 1분기(17.4%) 대비 0.1% 포인트 감소한 17.3%로 2위를 차지했다. 삼성전자는 올해 초 미국 오스틴 파운드리 공장 셧다운 여파로 2분기 매출에 차질이 있었지만, 이미지센서(CIS)와 디스플레이 드라이버 IC(DDI) 등 제품에 대한 강한 수요로 전반적인 매출은 증가했다고 트렌드포스는 설명했다. 삼성전자의 올 2분기 매출은 43억3400만달러(약 52조187억원)로 1분기보다 5.5% 증가했다.

올 2분기는 삼성전자와 TSMC의 점유율 차이가 오히려 소폭 줄어들었다. 1분기 37.1% 포인트에서 2분기 35.6% 포인트로 1.5% 포인트 줄어들면서 그간 벌어졌던 점유율 차를 회복했다. 특히 최근 몇 년 새 TSMC는 애플 아이폰, 에어맥 등 판매 호조의 영향으로 상대적으로 점유율이 계속 높아지고 있었는데 올 2분기 처음으로 기세가 꺾였다. TSMC 점유율은 2019년 2분기 49.2%였지만 2020년 2분기 51.5%, 2021년 2분기 52.9%로 꾸준히 늘어나고 있다.

반대로 삼성 파운드리는 다소 하락하는 모양새였다. 삼성전자는 2019년 2분기 18%에서 2020년 2분기 18.8%, 2021년 2분기 17.3%로 점차 감소하고 있다. TSMC가 투자를 늘리면서 치고 나가는 상황에서 삼성전자가 격차를 좁혔다는 건 의미 있는 결과로 읽힌다. 이종호 서울대 반도체공동연구소 소장은 “TSMC는 지금까지 내려오지 않고 쭉 시장점유율을 유지하거나 올라가고 있었다”며 “단 한 번으로 얘기하긴 어렵지만 한 번 더 지켜보면 내림세인지 눈에 띄게 확인할 수도 있을 것”이라고 말했다.

관건은 ‘3나노’, TSMC 시험 생산 연기…삼성에 유리?

전체적인 파운드리 시장은 2019년부터 8분기 연속 최대 규모를 경신하고 있다. 코로나19 여파로 반도체 수요가 지속 증가하고 있고 5세대 이동통신(5G), 만성적 파운드리 수급난 등 영향으로 고객사들의 ‘패닉바잉(공황구매)’이 2분기까지 이어졌기 때문이다. 이 기세는 3분기까지 이어질 전망이다. 트렌드포스는 “주요 파운드리 기업들이 생산시설 가동률을 100%로 유지하고 있지만, 여전히 강한 수요에 못 미치는 상황”이라며 “3분기 파운드리 시장 매출은 또 최대치를 경신할 것”이라고 전망했다.

아직 업계 1위인 TSMC의 경쟁력은 굳건하다. 하지만, 최근 TSMC는 3나노미터(nm·10억분의 1m) 반도체 시험 생산 일정을 6월에서 10월로 늦췄다. 통상 4~5월 새 반도체 양산에 돌입했던 점을 고려하면 내년 하반기에야 3나노 반도체 생산이 이뤄질 전망이다.

일각에선 TSMC가 3나노 공정 스케쥴을 연기함에 따라 삼성전자가 초미세 공정기술 선점에 유리하게 작용할 수 있다고 보고 있다. 삼성전자는 아직까지 구체적인 3나노 가동 시점을 밝히진 않았다. 다만 3나노에 게이트올어라운드(GAA) 공정을 TSMC보다 먼저 적용해 경쟁력을 확보하려 하고 있다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)기술보다 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있는 차세대 트랜지스터 구조로 평가받고 있다.

삼성은 지난 2분기 실적발표 콘퍼런스콜에서도 “GAA 공정이 적용된 3나노 1세대 제품을 내년 양산할 계획이고, 2023년에는 GAA 적용 3나노 2세대 제품을 양산하는 것이 목표”라고 밝혔다.

삼성전자와 TSMC가 초미세공정을 통한 시장 리더십을 확보하기 위해 치열한 수주경쟁을 펼치고 있다. 업계 관계자는 “TSMC의 3나노 반도체 양산 일정 변화로 고객사 완제품 출시 시점도 조정될 것”이라며 “그만큼 그 기술이 어렵다는 것이고 삼성전자도 지연될 수 있다. 또 그만큼 이 기술을 선점했을 때 고객사를 선점할 가능성도 크다”고 말했다.

이데일리
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