트렌드포스 "내년 HBM3E 수요 80%↑…제품 검증 관건"

[이데일리 조민정 기자] 내년 전체 고대역폭메모리(HBM) 수요의 80% 이상이 5세대 제품 HBM3E에서 발생할 전망이다. HBM3E 12단 제품은 이 중 절반 이상을 차지할 것으로 나타났다.

내년 TSV 점유율 확대에 따른 D램 캐파 추이.(사진=트렌드포스)

30일 시장조사기관 트렌드포스는 “인공지능(AI) 플랫폼이 차세대 HBM 제품을 더 많이 채택하면서 내년 전체 HBM 수요의 80% 이상이 HBM3E에 집중될 것”이라며 “내년 하반기 HBM 시장의 주류 제품은 HBM3E 8단에 이어 12단 제품이 될 것”이라고 밝혔다.

그러면서 현재 HBM 공급 과잉에 대한 우려를 두고 HBM3, HBM2E 등 구형 제품을 중심으로 발생할 것이라고 예상했다.

트렌드포스에 따르면 삼성전자(005930), SK하이닉스(000660), 미국 마이크론은 각각 올해 상반기와 3분기 HBM3E 12단 샘플을 고객사에 제출하고 검증을 진행 중이다. SK하이닉스는 최근 메모리 업체 중 가장 먼저 현존 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단 제품 양산에 돌입했고 연내 엔비디아에 제품을 공급할 계획이다.

트렌드포스는 HBM3E 12단 제품을 두고 안정적인 수율과 고객사의 제품 검증 여부가 중요하다고 강조했다. 트렌드포스는 “시장에서 일부 D램 공급업체의 공격적인 실리콘관통전극(TSV) 공정의 캐파(생산능력) 확장이 내년 공급 과잉과 가격 하락으로 이어질 수 있다고 우려하고 있다”며 “이는 제품의 성공적인 검증에 달려 있다”고 설명했다.

트렌드포스에 따르면 삼성전자는 TSV 생산량을 올해 말 월 12만장에서 내년 말까지 40% 증가한 17만장으로 늘릴 전망이다. SK하이닉스는 같은 기간 25%를 늘릴 계획이다. 이는 TSV 공정을 활용하는 HBM 등 차세대 D램 생산량을 확장하겠다는 업계의 전략이다.

트렌드포스는 “엔비디아의 B200, GB200과 AMD의 MI325, MI350 등 주요 제품은 HBM3E 12단을 채택할 예정”이라며 “증설이 완전히 실현될 수 있을지는 제품의 성공적인 검증에 달려 있으며, HBM의 안정적인 수율 달성이 중요하다”고 내다봤다.